ASTM F 1593-1996 应用高质量分辩率辉光放电质谱计测定电子级铝中微量金属杂质的标准试验方法

时间:2024-05-15 06:31:08 来源: 标准资料网 作者:标准资料网 阅读:8162
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【英文标准名称】:StandardTestMethodforTraceMetallicImpuritiesinElectronicGradeAluminumbyHighMass-ResolutionGlow-DischargeMassSpectrometer
【原文标准名称】:应用高质量分辩率辉光放电质谱计测定电子级铝中微量金属杂质的标准试验方法
【标准号】:ASTMF1593-1996
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1996
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:纯度;质谱学;铝;电子材料;使用;杂质;践射目标;高质量分辩率辉光放电质谱计;辉光放电质谱计;高纯度铝;电子级铝;微量金属杂质;试验
【英文主题词】:
【摘要】:
【中国标准分类号】:H61
【国际标准分类号】:77_040_30
【页数】:
【正文语种】:英语


Product Code:SAE AMS2414
Title:Plating, Lead
Issuing Committee:Ams B Finishes Processes And Fluids Committee
Scope:This specification covers the requirements for electrodeposed lead on metal part.
基本信息
标准名称:3CG140型PNP硅外延平面高频小功率低噪声三极管
英文名称:Detail specification for silicon PNP epitaxial planar high frequency low power noise transistors Type 3CG140
中标分类: 电子元器件与信息技术 >> 半导体分立器件 >> 半导体三极管
发布日期:1979-09-11
实施日期:1980-06-01
首发日期:
作废日期:2010-01-20
出版日期:
页数:3页
适用范围

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所属分类: 电子元器件与信息技术 半导体分立器件 半导体三极管